NAND Flash的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)

NAND Flash的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)

NAND Flash作為一種比較實(shí)用的固態(tài)硬盤(pán)存儲(chǔ)介質(zhì)，有自己的一些物理特性。NAND Flash的壽命不等于SSD的壽命，SSD盤(pán)可以通過(guò)多種技術(shù)手段從整體上提升SSD的壽命，通過(guò)不同的技術(shù)手段，SSD盤(pán)的壽命可以比NAND Flash壽命提升20%~2000%不等。

反過(guò)來(lái)講SSD的壽命不等于NAND Flash的壽命，NAND Flash的壽命主要通過(guò)P/E cycle來(lái)表征，SSD由多個(gè)Flash顆粒組成，通過(guò)盤(pán)片算法，可有效發(fā)揮顆粒壽命。

基于NAND Flash的原理和制造工藝，所有主要的閃存制造商都積極致力于開(kāi)發(fā)不同的方法，以降低每比特閃存的成本，同時(shí)正在積極研究增加3D NAND Flash中垂直層的數(shù)量。

隨著3D NAND技術(shù)的快速發(fā)展，QLC技術(shù)不斷成熟，QLC產(chǎn)品也已開(kāi)始陸續(xù)出現(xiàn)，可以預(yù)見(jiàn)QLC將會(huì)取代TLC，猶如TLC取代MLC一樣。而且，隨著3D NAND單die容量不斷翻倍增長(zhǎng)，這也將推動(dòng)消費(fèi)類SSD向4TB邁進(jìn)，企業(yè)級(jí)SSD向8TB升級(jí)，QLC SSD將完成TLC SSD未完成的任務(wù)，逐漸取代HDD，這些都逐步的影響著NAND Flash市場(chǎng)。

研究統(tǒng)計(jì)范圍包括8 Gbit、4Gbit、2Gbit以及其他小于16Gbit的SLC NAND閃存，產(chǎn)品應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)、通信和其他相關(guān)行業(yè)。

國(guó)際原廠引領(lǐng)3D NAND 技術(shù)發(fā)展，在 NAND Flash 市場(chǎng)中，三星、鎧俠（東芝）存儲(chǔ)、美光、SK 海力士、閃迪、英特爾這六家原廠長(zhǎng)期壟斷著全球 99％以上的份額。

此外，國(guó)際原廠持續(xù)引領(lǐng)著3D NAND技術(shù)研發(fā)，形成了較為厚實(shí)的技術(shù)壁壘。但各原廠在設(shè)計(jì)方案上 的差別將會(huì)對(duì)其產(chǎn)出產(chǎn)生形成一定影響。三星、SK海力士、鎧俠、閃迪已經(jīng)相繼發(fā)布最新100+層3D NAND產(chǎn)品。

當(dāng)前階段，NAND Flash 市場(chǎng)的發(fā)展主要受到智能手機(jī)和平板電腦需求的驅(qū)動(dòng)。相對(duì)于機(jī)械硬盤(pán)等傳統(tǒng)存儲(chǔ)介質(zhì)，采用NAND Flash 芯片的SD 卡、固態(tài)硬盤(pán)等存儲(chǔ)裝置沒(méi)有機(jī)械結(jié)構(gòu)，無(wú)噪音、壽命長(zhǎng)、功耗低、可靠性高、體積小、讀寫(xiě)速度快、工作溫度范圍廣，是未來(lái)大容量存儲(chǔ)的發(fā)展方向。隨著大數(shù)據(jù)時(shí)代的到來(lái)，NAND Flash 芯片將在未來(lái)得到巨大發(fā)展。